本文摘要：投资要点 晶能光电硅衬底LED全球领先 根据2015年6月科技部网站发布的国家科学技术奖励初评结果,硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管被初选为技术发明奖一等奖。项目主要已完成人之一孙钱博士为晶能光电副总裁和常州公司总经理,项目主要已完成人之一王敏博士为晶和灯光董事长。构建了LED关键技术的多项重大突破,在硅衬底LED领域全球领先。

投资要点　　晶能光电硅衬底LED全球领先　　根据2015年6月科技部网站发布的国家科学技术奖励初评结果,硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管被初选为技术发明奖一等奖。项目主要已完成人之一孙钱博士为晶能光电副总裁和常州公司总经理,项目主要已完成人之一王敏博士为晶和灯光董事长。构建了LED关键技术的多项重大突破,在硅衬底LED领域全球领先。

　　硅衬底GaN是构建高效蓝光发光二极管最佳自由选择　　目前能用作产业化生产蓝绿光LED材料的衬底有:蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底;正在很快变革且具备潜在产业化生产的衬底有:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)。其中,SiC衬底及LED制取技术被美国公司独占,蓝宝石衬底技术则主要掌控在日本公司手中,Si衬底技术已由南昌大学突破。

硅衬底是目前外延生长GaN薄膜的最佳自由选择,目前南昌大学也已在S(i111)衬底上生长出有闪烁特性能与蓝宝石或SiC衬底上相媲美的GaN蓝光LED。　　SiC、GaAs/GaN、Si市场竞争格局分析　　除应在LED领域之外,衬底SiC、GaAs/GaN、Si还广泛应用在太阳能、军工、通信、集成电路等,市场空间极大。虽然大部分衬底材料被国外独占,近两年国内企业开始转入衬底材料领域,并且部分企业产业化在即。

上市公司还包括扬杰科技转入SiC领域,三安光电转入GaAs/GaN领域,上海新阳和兴森科技转入大硅片领域。　　投资建议　　此次硅衬底低光效GaN基LED在中国获得重大成就,超越了日、美公司的蓝宝石和碳化硅衬底的技术独占,构成半导体灯光技术三足鼎立的局面。我们寄予厚望LED芯片和PCB行业,主要引荐市值小LED芯片企业还包括乾照光电、澳洋顺昌,船小好掉头;LEDPCB龙头聚飞光电。

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